高低温冲击气流仪ThermoTest Series通过其超快温变能力和准确温控技术，在芯片测试中模拟严苛温度环境，显著提升芯片良率。以下从技术原理、测试场景、良率提升机制三个维度展开：

　　一、超快温变技术原理

　　1、气流冲击机制

　　双区独立控温：设备内部设高温区（+200℃）和低温区（-90℃），通过气动阀门快速切换气流通道，实现10秒内完成-55℃→+125℃温变。

　　冲击喷嘴设计：采用阵列式喷嘴将冷热气流直接喷射至芯片表面，结合PID+模糊控制算法，确保温度均匀性。

　　2、准确温控系统

　　传感器布局：在测试腔体内集成红外热像仪+铂电阻传感器，实时监测芯片表面及环境温差。

　　动态补偿：通过自适应控温模型，根据芯片热容量动态调整制冷功率，控温精度±0.1℃。

　　二、芯片测试核心场景覆盖

　　1、严苛环境模拟

　　温度冲击测试：模拟芯片从寒（-65℃）到高温（150℃）的瞬时切换，验证封装材料抗热应力能力。

　　循环老化试验：在-40℃~125℃范围内进行循环，筛选早期失效芯片。

　　2、工艺缺陷探测

　　晶圆级测试：对未切割晶圆进行分区温控，定位局部过热或过冷导致的良率损失。

　　封装后验证：在250℃高温下检测引线键合可靠性，良率提升。

　　三、良率提升量化机制

　　1、失效模式阻断

　　热膨胀失配：通过快速温变测试，提前发现芯片与基板CTE（热膨胀系数）失配问题，良率提升。

　　电迁移风险：在高温段（150℃）加速金属导线原子扩散，良率提升。

　　2、工艺优化反馈

　　光刻胶稳定性：在-20℃~85℃循环中优化光刻工艺窗口，线宽均匀性改善。

　　薄膜沉积优化：通过温度冲击测试调整CVD工艺参数，薄膜缺陷率降低。

　　四、国内设备商创新方案

　　冠亚恒温TES系列热流仪：

　　升降温速率非常迅速，可实现对光通信产品进行快速温度冲击；

　　进行温度循环测试时，能够稳定的维持在某个温度点，精度可达±0.5℃；

　　可针对PCB中的某个IC元件进行温度测试而不影响其他元器件；

　　可在实验室或者工作平台上进行温度测试，升降温时间可控，可程序化操作。

高低温冲击气流仪ThermoTest Series通过超快温变能力+准确温控技术，系统性解决芯片测试中的热应力、电迁移等关键难题，助力良率提升。