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| 品牌 | 冠亚制冷 | 价格区间 | 10万-20万 |
|---|---|---|---|
| 产地类别 | 国产 | 应用领域 | 化工,生物产业,石油,制药/生物制药,综合 |
无锡冠亚冷热一体机典型应用于：
高压反应釜冷热源动态恒温控制、双层玻璃反应釜冷热源动态恒温控制、
双层反应釜冷热源动态恒温控制、微通道反应器冷热源恒温控制；
小型恒温控制系统、蒸饱系统控温、材料低温高温老化测试、
组合化学冷源热源恒温控制、半导体设备冷却加热、真空室制冷加热恒温控制
型号 | SUNDI-125 SUNDI-125W | SUNDI-135 SUNDI-135W | SUNDI-155 SUNDI-155W | SUNDI-175 SUNDI-175W | SUNDI-1A10 SUNDI-1A10W | SUNDI-1A15 SUNDI-1A15W | |||||||
介质温度范围 | -10℃～+200℃ | ||||||||||||
控制系统 | 前馈PID ,无模型自建树算法，PLC控制器 | ||||||||||||
温控模式选择 | 物料温度控制与设备出口温度控制模式 可自由选择 | ||||||||||||
温差控制 | 设备出口温度与反应物料温度的温差可控制、可设定 | ||||||||||||
程序编辑 | 可编制5条程序，每条程序可编制40段步骤 | ||||||||||||
通信协议 | MODBUS RTU 协议 RS 485接口 | ||||||||||||
外接入温度反馈 | PT100或4～20mA或通信给定（默认PT100) | ||||||||||||
温度反馈 | 设备导热介质 温度、出口温度、反应器物料温度（外接温度传感器）三点温度 | ||||||||||||
导热介质温控精度 | ±0.5℃ | ||||||||||||
反应物料温控精度 | ±1℃ | ||||||||||||
加热功率 kW | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
制冷量 kW | 200℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | ||||||
20℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
-5℃ | 1.5 | 2.1 | 3.3 | 4.2 | 6 | 9 | |||||||
流量压力 max L/min bar | 20 | 35 | 35 | 50 | 50 | 75 | |||||||
2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2.5 | ||||||||
压缩机 | 海立 | 艾默生谷轮/丹佛斯涡旋压缩机 | |||||||||||
膨胀阀 | 丹佛斯/艾默生热力膨胀阀 | ||||||||||||
蒸发器 | 丹佛斯/高力板式换热器 | ||||||||||||
操作面板 | 7英寸彩色触摸屏，温度曲线显示、记录 | ||||||||||||
安全防护 | 具有自我诊断功能；冷冻机过载保护；高压压力开关，过载继电器、热保护装置等多种安全保障功能。 | ||||||||||||
密闭循环系统 | 整个系统为全密闭系统，高温时不会有油雾、低温不吸收空气中水份，系统在运行中不会因为高温使压力上升，低温自动补充导热介质。 | ||||||||||||
制冷剂 | R-404A/R507C | ||||||||||||
接口尺寸 | G1/2 | G3/4 | G3/4 | G1 | G1 | G1 | |||||||
水冷型 W 温度 20度 | 600L/H 1.5bar~4bar G3/8 | 800L/H 1.5bar~4bar G1/2 | 1000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1200L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1600L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 2000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | |||||||
外型尺寸(水）cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | |||||||
外形尺寸 (风）cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | 70*100*175 | |||||||
隔爆尺寸(风) cm | 45*110*130 | 45*110*130 | 45*110*130 | 55*120*170 | 55*120*170 | 55*120*170 | |||||||
正压防爆(水）cm | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 120*110*195 | |||||||
常规重量kg | 115 | 165 | 185 | 235 | 280 | 300 | |||||||
电源 380V 50HZ | AC 220V 50HZ 3.6kW | 5.6kW | 7.5kW | 10kW | 13kW | 20kW | |||||||
选配风冷尺寸cm | / | 50*68*145 | 50*68*145 | 50*68*145 | / | / | |||||||
在现代半导体行业中，冷热循环试验机通过准确控制温度环境，为半导体制造过程中的多个关键环节提供必要的温度保障，从而确保产品的质量和性能。反应釜加热控温机 化工用冷热一体机
一、冷热循环试验机的基本工作原理
冷热循环试验机是一种集制冷和加热功能于一体的设备，能够提供稳定的高温和低温环境，满足半导体制造过程中复杂多变的温度需求，为半导体器件的研发、生产和测试提供了可靠的保障。
二、冷热循环试验机在半导体制程中的应用
1. 薄膜生长
在半导体制程中，冷热循环试验机能够为薄膜生长提供所需的准确温度环境，促进材料的化学反应，从而生长出高质量的薄膜。通过准确控制温度，可以优化薄膜的生长条件，提高薄膜的均匀性和致密性，进而提升半导体器件的整体性能。
2. 热处理
半导体材料在制程过程中需要进行多种热处理，如退火、氧化等。这些过程对温度的要求非常严格，稍有偏差就可能导致材料性能下降或器件失效。冷热循环试验机能够提供稳定的温度环境，确保热处理过程的顺利进行。例如，在氧化过程中，通过准确控制温度，可以形成致密的二氧化硅层，有效保护晶圆表面，防止化学杂质和漏电流的影响。
3. 掺杂工艺
掺杂是半导体制程中的环节之一，通过向材料中引入特定的杂质来改变其电学性质。冷热循环试验机能够为掺杂工艺提供准确的温度控制，确保杂质能够均匀地分布在材料中，从而获得理想的掺杂效果。准确的温度控制可以避免掺杂不均匀导致的器件性能波动，提高产品的稳定性和可靠性。反应釜加热控温机 化工用冷热一体机
4. 清洗与刻蚀
在半导体制程中，清洗和刻蚀是去除表面污物和不需要材料的步骤。冷热循环试验机能够为这些工艺提供适当的温度环境，提高清洗和刻蚀的效果。适当的温度可以促进清洗剂和刻蚀剂的化学反应，加速污物和不需要材料的去除，从而保证半导体器件的清洁度和精度。
