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簡要描述：【無錫冠亞】反應(yīng)釜加熱控溫機(jī) 化工用冷熱一體機(jī)，應(yīng)用于對玻璃反應(yīng)釜、金屬反應(yīng)釜、生物反應(yīng)器進(jìn)行升降溫、恒溫控制，尤其適合在反應(yīng)過程中有需熱、放熱過程控制。解決化學(xué)醫(yī)藥工業(yè)用準(zhǔn)確控溫的特殊裝置，用以滿足間歇反應(yīng)器溫度控制或持續(xù)不斷的工藝進(jìn)程的加熱及冷卻、恒溫系統(tǒng)。
產(chǎn)品型號：SUNDIZ4-3廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家更新時間：2025-01-17訪 問 量：1068| 品牌 | 冠亞制冷 | 價格區(qū)間 | 10萬-20萬 |
|---|---|---|---|
| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,生物產(chǎn)業(yè),石油,制藥/生物制藥,綜合 |
無錫冠亞冷熱一體機(jī)典型應(yīng)用于：
高壓反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、雙層玻璃反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、
雙層反應(yīng)釜冷熱源動態(tài)恒溫控制、微通道反應(yīng)器冷熱源恒溫控制；
小型恒溫控制系統(tǒng)、蒸飽系統(tǒng)控溫、材料低溫高溫老化測試、
組合化學(xué)冷源熱源恒溫控制、半導(dǎo)體設(shè)備冷卻加熱、真空室制冷加熱恒溫控制
型號 | SUNDI-125 SUNDI-125W | SUNDI-135 SUNDI-135W | SUNDI-155 SUNDI-155W | SUNDI-175 SUNDI-175W | SUNDI-1A10 SUNDI-1A10W | SUNDI-1A15 SUNDI-1A15W | |||||||
介質(zhì)溫度范圍 | -10℃～+200℃ | ||||||||||||
控制系統(tǒng) | 前饋PID ,無模型自建樹算法，PLC控制器 | ||||||||||||
溫控模式選擇 | 物料溫度控制與設(shè)備出口溫度控制模式 可自由選擇 | ||||||||||||
溫差控制 | 設(shè)備出口溫度與反應(yīng)物料溫度的溫差可控制、可設(shè)定 | ||||||||||||
程序編輯 | 可編制5條程序，每條程序可編制40段步驟 | ||||||||||||
通信協(xié)議 | MODBUS RTU 協(xié)議 RS 485接口 | ||||||||||||
外接入溫度反饋 | PT100或4～20mA或通信給定（默認(rèn)PT100) | ||||||||||||
溫度反饋 | 設(shè)備導(dǎo)熱介質(zhì) 溫度、出口溫度、反應(yīng)器物料溫度（外接溫度傳感器）三點(diǎn)溫度 | ||||||||||||
導(dǎo)熱介質(zhì)溫控精度 | ±0.5℃ | ||||||||||||
反應(yīng)物料溫控精度 | ±1℃ | ||||||||||||
加熱功率 kW | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
制冷量 kW | 200℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | ||||||
20℃ | 2.5 | 3.5 | 5.5 | 7.5 | 10 | 15 | |||||||
-5℃ | 1.5 | 2.1 | 3.3 | 4.2 | 6 | 9 | |||||||
流量壓力 max L/min bar | 20 | 35 | 35 | 50 | 50 | 75 | |||||||
2 | 2 | 2 | 2 | 2 | 2.5 | ||||||||
壓縮機(jī) | 海立 | 艾默生谷輪/丹佛斯渦旋壓縮機(jī) | |||||||||||
膨脹閥 | 丹佛斯/艾默生熱力膨脹閥 | ||||||||||||
蒸發(fā)器 | 丹佛斯/高力板式換熱器 | ||||||||||||
操作面板 | 7英寸彩色觸摸屏，溫度曲線顯示、記錄 | ||||||||||||
安全防護(hù) | 具有自我診斷功能；冷凍機(jī)過載保護(hù)；高壓壓力開關(guān)，過載繼電器、熱保護(hù)裝置等多種安全保障功能。 | ||||||||||||
密閉循環(huán)系統(tǒng) | 整個系統(tǒng)為全密閉系統(tǒng)，高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份，系統(tǒng)在運(yùn)行中不會因?yàn)楦邷厥箟毫ι仙蜏刈詣友a(bǔ)充導(dǎo)熱介質(zhì)。 | ||||||||||||
制冷劑 | R-404A/R507C | ||||||||||||
接口尺寸 | G1/2 | G3/4 | G3/4 | G1 | G1 | G1 | |||||||
水冷型 W 溫度 20度 | 600L/H 1.5bar~4bar G3/8 | 800L/H 1.5bar~4bar G1/2 | 1000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1200L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 1600L/H 1.5bar~4bar G3/4 | 2000L/H 1.5bar~4bar G3/4 | |||||||
外型尺寸(水）cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | |||||||
外形尺寸 (風(fēng)）cm | 45*65*120 | 50*85*130 | 55*100*175 | 55*100*175 | 70*100*175 | 70*100*175 | |||||||
隔爆尺寸(風(fēng)) cm | 45*110*130 | 45*110*130 | 45*110*130 | 55*120*170 | 55*120*170 | 55*120*170 | |||||||
正壓防爆(水）cm | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 110*95*195 | 120*110*195 | |||||||
常規(guī)重量kg | 115 | 165 | 185 | 235 | 280 | 300 | |||||||
電源 380V 50HZ | AC 220V 50HZ 3.6kW | 5.6kW | 7.5kW | 10kW | 13kW | 20kW | |||||||
選配風(fēng)冷尺寸cm | / | 50*68*145 | 50*68*145 | 50*68*145 | / | / | |||||||
在現(xiàn)代半導(dǎo)體行業(yè)中，冷熱循環(huán)試驗(yàn)機(jī)通過準(zhǔn)確控制溫度環(huán)境，為半導(dǎo)體制造過程中的多個關(guān)鍵環(huán)節(jié)提供必要的溫度保障，從而確保產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。反應(yīng)釜加熱控溫機(jī) 化工用冷熱一體機(jī)
一、冷熱循環(huán)試驗(yàn)機(jī)的基本工作原理
冷熱循環(huán)試驗(yàn)機(jī)是一種集制冷和加熱功能于一體的設(shè)備，能夠提供穩(wěn)定的高溫和低溫環(huán)境，滿足半導(dǎo)體制造過程中復(fù)雜多變的溫度需求，為半導(dǎo)體器件的研發(fā)、生產(chǎn)和測試提供了可靠的保障。
二、冷熱循環(huán)試驗(yàn)機(jī)在半導(dǎo)體制程中的應(yīng)用
1. 薄膜生長
在半導(dǎo)體制程中，冷熱循環(huán)試驗(yàn)機(jī)能夠?yàn)楸∧どL提供所需的準(zhǔn)確溫度環(huán)境，促進(jìn)材料的化學(xué)反應(yīng)，從而生長出高質(zhì)量的薄膜。通過準(zhǔn)確控制溫度，可以優(yōu)化薄膜的生長條件，提高薄膜的均勻性和致密性，進(jìn)而提升半導(dǎo)體器件的整體性能。
2. 熱處理
半導(dǎo)體材料在制程過程中需要進(jìn)行多種熱處理，如退火、氧化等。這些過程對溫度的要求非常嚴(yán)格，稍有偏差就可能導(dǎo)致材料性能下降或器件失效。冷熱循環(huán)試驗(yàn)機(jī)能夠提供穩(wěn)定的溫度環(huán)境，確保熱處理過程的順利進(jìn)行。例如，在氧化過程中，通過準(zhǔn)確控制溫度，可以形成致密的二氧化硅層，有效保護(hù)晶圓表面，防止化學(xué)雜質(zhì)和漏電流的影響。
3. 摻雜工藝
摻雜是半導(dǎo)體制程中的環(huán)節(jié)之一，通過向材料中引入特定的雜質(zhì)來改變其電學(xué)性質(zhì)。冷熱循環(huán)試驗(yàn)機(jī)能夠?yàn)閾诫s工藝提供準(zhǔn)確的溫度控制，確保雜質(zhì)能夠均勻地分布在材料中，從而獲得理想的摻雜效果。準(zhǔn)確的溫度控制可以避免摻雜不均勻?qū)е碌钠骷阅懿▌樱岣弋a(chǎn)品的穩(wěn)定性和可靠性。反應(yīng)釜加熱控溫機(jī) 化工用冷熱一體機(jī)
4. 清洗與刻蝕
在半導(dǎo)體制程中，清洗和刻蝕是去除表面污物和不需要材料的步驟。冷熱循環(huán)試驗(yàn)機(jī)能夠?yàn)檫@些工藝提供適當(dāng)?shù)臏囟拳h(huán)境，提高清洗和刻蝕的效果。適當(dāng)?shù)臏囟瓤梢源龠M(jìn)清洗劑和刻蝕劑的化學(xué)反應(yīng)，加速污物和不需要材料的去除，從而保證半導(dǎo)體器件的清潔度和精度。
